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(SiC-SBD)碳化硅-蕭特基二極管的優(yōu)點(diǎn)

發(fā)布者:佑萊得電子    發(fā)布時(shí)間:2026-03-05     瀏覽量:

SiC-SBD,能取代Si-PND/FRD的優(yōu)點(diǎn)便是來(lái)自于SiC-SBD的「高速性」。


1.trr速度快,可大幅降低回復(fù)損耗,達(dá)到高效率。

2.同理,由于逆電流小故噪聲小,所以可簡(jiǎn)略噪聲/突波對(duì)策零件,達(dá)到小型化。

3.高頻運(yùn)作,周邊也能選用小型電感。


此外,由于SiC-SBD對(duì)溫度非常穩(wěn)定,因此也可以因應(yīng)車規(guī)等級(jí),SiC-SBD在HV/EV/PHV的車載充電電路中的效能已經(jīng)獲得肯定,新一代產(chǎn)品改善了突波電流耐受量和漏電流,更進(jìn)一步降低VF值。


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